时间：2025/4/30 11:11:18
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ATIC21 C1/A2C37376 是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的高压功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该芯片采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够有效提高系统的效率和稳定性。
型号：ATIC21 C1/A2C37376
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-220
最大漏源极电压：650V
最大栅源极电压：±20V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻：5.4Ω
总功耗：25W
工作温度范围：-55℃至+150℃
ATIC21 C1/A2C37376 的主要特点是其高耐压能力，适合用于高压环境下的电力电子设备。
1. 高击穿电压：高达650V的漏源极电压使其能够在高压条件下稳定运行。
2. 低导通电阻：在典型条件下，导通电阻仅为5.4Ω，降低了功率损耗。
3. 快速开关速度：优化的栅极电荷设计使开关时间更短，从而提高了系统效率。
4. 热稳定性：该芯片可以在-55℃到+150℃的宽温范围内工作，适应各种极端环境。
5. 小型化封装：TO-220封装不仅易于安装，还具备良好的散热性能。
ATIC21 C1/A2C37376 广泛应用于需要高压控制的电力电子领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 负载开关
5. 工业自动化控制
6. LED驱动器
7. 光伏逆变器中的功率管理单元
由于其出色的性能和可靠性，这款芯片成为许多高压应用的理想选择。
STP16NF65,
IRF640,
FDP18N65,
IXTH18N65L
